| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT |
| 型号编码 | RGT8NS65DGTLn: |
| 说明 | IGBT TO-263-3 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 394 [库存更新时间：2024-05-22] |
| 功率 | 65W |
| 在25 C的连续集电极电流 | 8A |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C |
| 栅极/发射极最大电压 | ±30V |
| 栅极—射极漏泄电流 | ±200nA |
| 系列 | RGT8NS65D |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65V |
| 集电极最大连续电流 Ic | 8A |
| 集电极连续电流 | 4A |
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